为什么考虑了MOS管的体效应后，其小信号模型电阻减小？

发表于2025-05-22|更新于2025-05-22

|浏览量:

提问：

为什么考虑了MOS管的体效应后，其小信号模型电阻减小？

我的思考

在MOS管模型中，体效应是等效为了一个独立电流源，大小为: $\begin{aligned} I = g_{mb} V_{BS} \end{aligned}$

同时它的效果在小信号模型中也能用一个线性电阻表示,因此与原来的VCCS的$R_{eq}$形成并联结构，对外

文章作者:

文章链接: http://love-learning-li.github.io/2025/05/22/body_effect_reduce_resistence/

版权声明: 本博客所有文章除特别声明外，均采用 CC BY-NC-SA 4.0 许可协议。转载请注明来源 LiMingXiang's Record！

半导体物理

相关推荐

简并or退化？本征or掺杂？

简并or退化？本征or掺杂？问题来源于在看半导体物理教材时的疑惑，经查找资料后清楚了些，故作此纪录与诸君分享。 degeneration:退化(在物理学中常译为简并) 故 a degenerate semiconductor指的是重掺杂的半导体，杂质能级形成了 impurity band，把带隙给填满了，因此材料的电导率等性质就更像金属了，即由半导体退化成金属了，故$\mathscr{MeiShao}$认为，将degenerate semiconductor 翻译为退化半导体更容易理解。其中费米狄拉克分布函数为: \begin{align*} f(E) = \frac{1}{1+\mathrm{exp}(\frac{E-E_{F}}{k_{0}T})} \end{align*}由于费米狄拉克分布函数积分时较为困难，因此常将其在某些情况下进行简化，即玻尔兹曼分布函数： \begin{align*} f(E) =...

氢原子模型和类氢原子模型

氢原子模型和类氢原子模型灵感来自半导体物理课程的课后题，发现推不出来表达式，上网查阅资料后做此记录，与大家分享。氢原子模型基于量子力学的理论，我们根据玻尔三大假设书写方程。定态假设：原子系统只能处于一系列不连续的分立的能量状态 $E_{1}$ 、 $E_{2}$ 、 $E_{3}$ ……，在这些状态下，电子虽做加速运动，但不向外辐射能量，称这样的状态为定态。跃迁假设：电子从 $E_{m}$ 能级跃迁到 $E_{n}$ 能级所需的能量满足 $h\nu=E_{n}-E_{m}$ 。轨道角动量量子化假设：在氢原子中，电子轨道需满足 $2\pi r\cdot m_{e} v = n h$ ，即电子只能在轨道角动量等于约化普朗克常数 $\hbar$ 的整数倍的轨道上运动。故根据轨道角动量量子化假设和圆周运动的向心力等于库仑力列写如下方程： \begin{align*} &m v r = n \frac{h}{2\pi} \\ &m\frac{v^{2}}{r} = \frac{1}{4\pi\epsilon_{0}} \cdot...

为什么MOS管常用(100)晶向的晶圆，BJT常用(111)晶向的晶圆？

关于势垒及衍生问题的一些思考

什么是势垒呢？pn结在pn结中记n区、p区的导带 $E_{C}$ 之差为势垒。在形成pn结之前，n区的费米能级 $E_{F}$ 靠近导带 $E_{C}$ ；p区的费米能级靠近价带 $E_{V}$ ，形成pn结后形成统一的费米能级，在能带图中即体现为一条水平线。 Q1:为什么pn结会形成统一的费米能级 A1:从能带角度理解：首先能级越低，该能级上的电子能量越高，该能级上的空穴能量越低。故形成pn结时电子从 $E_{F}$ 高的n区流向 $E_{F}$ 低的p区，相应的空穴从 $E_{F}$ 低的p区流向 $E_{F}$ 高的n区，也可以说n区电子占据导带的概率降低；同时考虑费米能级是标志载流子分布的能级，或者从下式分析: \begin{equation} \left\{ \begin{aligned} n_{0} & = N_{c} \exp(\frac{E_{F}-E_{C}}{k_{0}T}) \\ p_{0} & = N_{v} \exp(\frac{E_{V}-E_{F}}{k_{0}T}) ...

半导体物理半期考试参考解析

四川大学期中考试试题(开卷) (2024 - 2025 学年第 1 学期) A 卷课程名称：半导体物理任课教师：杨治美 2024 年 11 月 25 日 1 题目 ${L}_{n}(E) = ( )$ , ${L}_{D} =( )$ 。半导体中过剩电子浓度为 $ \Delta n = {10}^{15} cm^{-3} $ ,过剩载流子的寿命为 $ \tau_{n0} = {10}^{-6}s $ 。在 $ t = 0 $ 时, 产生过剩载流子的外部作用停止,因此 $ t > 0 $ 时半导体恢复到平衡状态, $ t = {4\mu s} $ 时的过剩载流子的复合率 ( )。假设两块半导体材料 $\mathrm{A}$ 和 $\mathrm{B}$ 除了禁带宽度不同,其它参数完全相同。 $\mathrm{A}$ 的禁带宽度是 $ 1.0eV $ , B 的禁带宽度是 $1.2eV$,${300}\mathrm{K}$ 时两种材料的 ${n}_{i}$ 的比值是( )。特定半导体内存在三种散射机制，只存在一种散射机制时的迁移率为...